现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25L16B-G

适用于工业应用、工作范围宽的高密度 16 Kbit SPI F-RAM
数据手册
封装
每件.
有存货

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FM25L16B-G
FM25L16B-G
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ)
    2.7 V to 3.6 V
  • 工作电压
    2.7 V to 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    2Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    20 MHz
推荐的
OPN
FM25L16B-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 1940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 1940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM25L16B-G 是一款采用先进铁电技术的 16 Kbit 非易失性存储器，可提供长达 151 年的可靠数据保存能力，并以总线速度进行快速写入操作。凭借强大的写入耐久性和高速 SPI 总线兼容性，它是各种非易失性存储器应用的理想解决方案，从数据收集到要求严格的工业控制，而其他存储器的长写入时间可能会导致数据丢失。它在工业温度范围内保证的性能使其成为关键应用的多功能且可靠的选择。

特性

  • 16 Kbit F-RAM 逻辑组织为 2K × 8 
  • 高耐用性 100 万亿 (1014) 次读/写
  • 数据保留 151 年
  • NoDelay ™写入
  • 先进的高可靠性铁电工艺
  • 非常快速的串行外设接口 (SPI)
  • 频率高达 20 MHz
  • 完善的写保护方案
  • 低功耗
  • 低电压工作：VDD = 2.7 V 至 3.6 V
  • 工业温度：-40°C 至 +85°C

文档

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