现货，推荐
符合RoHS标准

FM25V10-G

工业级 1024kBit SPI FRAM，频率为 40MHz，确保在 -40°C 至 85°C 的宽温度范围内可靠运行
数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM25V10-G
FM25V10-G
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
推荐的
OPN
FM25V10-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 1940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 1940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM25V10-G是一款1-Mbit（128K×8）串行F-RAM存储器，采用SPI接口，具备100万亿次（10¹⁴）读写循环和65°C下151年数据保持能力。工作电压2.0 V至3.6 V，支持最高40 MHz SPI时钟，NoDelay™写入实现即时数据存储。8引脚SOIC封装，适用于–40°C至+85°C工业温度范围，非常适合频繁、快速且可靠的非易失性存储应用，如数据记录和工业控制。

特性

  • 1-Mbit非易失性F-RAM，128K×8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™总线速度写入
  • SPI接口最高40 MHz
  • 低功耗：0.3 mA工作，5 μA休眠
  • VDD工作范围2.0 V至3.6 V
  • 工业温度–40°C至+85°C
  • 硬件与软件写保护
  • 支持SPI模式0和3
  • 设备及唯一序列号
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM

产品优势

  • 消除写入延迟导致数据丢失
  • 适合频繁快速数据记录
  • 65°C下151年可靠保存
  • 实现高速存储访问
  • 降低系统功耗
  • 适用低电压设计
  • 工业环境下高可靠性
  • 防止误写保护数据
  • SPI标准简易集成
  • 设备追溯与安全
  • 无需固件更改直接替换
  • 写入耐久优于闪存/EEPROM

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }