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符合RoHS标准

FM25V10-GTR

符合工业标准的高密度 1 Mbit SPI F-RAM
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

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FM25V10-GTR
FM25V10-GTR
每件.
数据手册

商品详情

  • Density
    1 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 85 °C
  • Operating Voltage (VCCQ)
    2 V to 3.6 V
  • Operating Voltage
    2 V to 3.6 V
  • Lead Ball Finish
    Pure Sn
  • Interfaces
    SPI
  • Organization (X x Y)
    128Kb x 8
  • Qualification
    Industrial
  • Speed
    0 ns
  • Frequency
    40 MHz
受到推崇的
OPN
FM25V10-GTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM25V10-GTR 是一款采用先进铁电技术的 1 Mbit 非易失性存储器，可提供长达 151 年的可靠数据保存。由于其具有总线速度的写入操作和相当强的耐用性，它非常适合需要频繁或快速写入的应用，例如数据收集和工业控制，解决了串行闪存和 EEPROM 的局限性。

特性

  • 1 Mbit F-RAM 逻辑组织为 128K × 8
  • 高耐用性，100 万亿 (1014) 次读/写
  • 151年数据保留
  • NoDelay ™写入
  • 先进的高可靠性铁电工艺
  • 非常快速的串行外设接口 (SPI)
  • 完善的写保护方案
  • 设备 ID 和序列号
  • 低功耗
  • 低电压工作：VDD = 2.0 V 至 3.6 V
  • 工业温度：-40 °C 至 +85 °C
  • 符合有害物质限制指令 (RoHS)

文档

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