FM25V10-GTR
现货，推荐
符合RoHS标准

FM25V10-GTR

符合工业标准的高密度 1 Mbit SPI F-RAM
数据手册
封装
评估板

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FM25V10-GTR
FM25V10-GTR
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
推荐的
OPN
FM25V10-GTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM25V10-GTR是一款1 Mbit（128K × 8）非易失性铁电RAM，采用高速SPI接口，支持最高40 MHz。具备100万亿（1014）次几乎无限读写耐久性，65°C下数据保持151年，工作电压2.0 V至3.6 V，工业级温度-40°C至+85°C。低工作电流、先进写保护和NoDelay™即时写入，适用于工业控制、数据采集等 chip频繁或快速数据更新场景。

特性

  • 1-Mbit非易失性F-RAM，128K×8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™总线速度写入
  • SPI接口最高40 MHz
  • 低功耗：0.3 mA工作，5 μA休眠
  • VDD工作范围2.0 V至3.6 V
  • 工业温度–40°C至+85°C
  • 硬件与软件写保护
  • 支持SPI模式0和3
  • 设备及唯一序列号
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM

产品优势

  • 消除写入延迟导致数据丢失
  • 适合频繁快速数据记录
  • 65°C下151年可靠保存
  • 实现高速存储访问
  • 降低系统功耗
  • 适用低电压设计
  • 工业环境下高可靠性
  • 防止误写保护数据
  • SPI标准简易集成
  • 设备追溯与安全
  • 无需固件更改直接替换
  • 写入耐久优于闪存/EEPROM
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