现货，推荐
符合RoHS标准

FM25W256-G

高密度 256kBit SPI 存储器模块 | 20MHz，-40 至 85°C，纯锡涂层 - 工业应用的理想选择
数据手册
封装
评估板

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM25W256-G
FM25W256-G
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ)
    2.7 V to 5.5 V
  • 工作电压
    2.7 V to 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    20 MHz
推荐的
OPN
FM25W256-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 1940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 1940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM25W256-G 是一款 256 Kbit 非易失性存储器，采用先进的铁电技术，可提供长达 151 年的可靠数据保存。与串行闪存和 EEPROM 不同，它以总线速度执行写入操作，没有写入延迟，并提供相当强的写入耐久性，支持 1014 次读/写周期。它的写入次数比 EEPROM 多 1 亿倍，非常适合需要频繁或快速写入的应用，从关键数据收集到要求严格的工业控制。

特性

  • 256 Kbit F-RAM 逻辑组织为 32K × 8
  • 高耐用性，100 万亿 (1014) 次读/写
  • 数据保留 151 年
  • NoDelay ™写入
  • 先进的高可靠性铁电工艺
  • 非常快速的串行外设接口 (SPI)
  • 完善的写保护方案
  • 低功耗
  • 宽电压操作

产品优势

  • 硬件直接替换
  • 高速 SPI 总线
  • 工业温度：-40°C 至 +85°C

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }