FM25W256-G
现货，推荐
符合RoHS标准

FM25W256-G

高密度 256kBit SPI 存储器模块 | 20MHz，-40 至 85°C，纯锡涂层 - 工业应用的理想选择
数据手册
封装
评估板

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FM25W256-G
FM25W256-G
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    20 MHz
推荐的
OPN
FM25W256-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 1940
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 1940
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM25W256-G是一款256 Kbit（32K × 8）串行F-RAM，采用SPI接口，具备100万亿次（1014）读写耐久性和65°C下151年数据保持能力。工作电压2.7 V至5.5 V，最高20 MHz时钟，支持NoDelay总线速度写入，具备高级写保护和低工作电流（1 MHz时250 μA）。8引脚SOIC封装，适用于–40°C至+85°C，适合工业和关键系统的高频写入非易失性存储。

特性

  • 256 Kbit F-RAM，32K × 8结构
  • 10¹⁴次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • SPI总线最高20 MHz
  • 硬件/软件写保护机制
  • 1 MHz下250 μA工作电流
  • 典型待机电流15 μA
  • 宽电压：2.7 V至5.5 V
  • 工业温度：–40°C至+85°C
  • 直接替换串行闪存/EEPROM
  • 支持SPI模式0和3

产品优势

  • 关键数据可靠非易失存储
  • 实时系统无写入延迟
  • 适合频繁快速写入应用
  • 断电防止数据丢失
  • 待机低功耗
  • 宽电压适用灵活
  • 工业环境稳定运行
  • 轻松替换闪存/EEPROM
  • 写保护提升数据安全
  • SPI接口提升系统速度
  • 无闪存/EEPROM磨损问题
  • 易与标准SPI控制器集成
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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