现货，推荐
符合RoHS标准

FM25W256-G

高密度 256kBit SPI 存储器模块 | 20MHz，-40 至 85°C，纯锡涂层 - 工业应用的理想选择
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM25W256-G
FM25W256-G
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    20 MHz
推荐的
OPN
FM25W256-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 1940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 1940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM25W256-G是一款256 Kbit（32K × 8）串行F-RAM，采用SPI接口，具备100万亿次（1014）读写耐久性和65°C下151年数据保持能力。工作电压2.7 V至5.5 V，最高20 MHz时钟，支持NoDelay总线速度写入，具备高级写保护和低工作电流（1 MHz时250 μA）。8引脚SOIC封装，适用于–40°C至+85°C，适合工业和关键系统的高频写入非易失性存储。

特性

  • 256 Kbit F-RAM，32K × 8结构
  • 10¹⁴次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • SPI总线最高20 MHz
  • 硬件/软件写保护机制
  • 1 MHz下250 μA工作电流
  • 典型待机电流15 μA
  • 宽电压：2.7 V至5.5 V
  • 工业温度：–40°C至+85°C
  • 直接替换串行闪存/EEPROM
  • 支持SPI模式0和3

产品优势

  • 关键数据可靠非易失存储
  • 实时系统无写入延迟
  • 适合频繁快速写入应用
  • 断电防止数据丢失
  • 待机低功耗
  • 宽电压适用灵活
  • 工业环境稳定运行
  • 轻松替换闪存/EEPROM
  • 写保护提升数据安全
  • SPI接口提升系统速度
  • 无闪存/EEPROM磨损问题
  • 易与标准SPI控制器集成

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }