现货，推荐
符合RoHS标准

FM25W256-GTR

适用于工业应用、工作范围宽的高速 256 Kbit SPI F-RAM
数据手册
封装

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FM25W256-GTR
FM25W256-GTR
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ)
    2.7 V to 5.5 V
  • 工作电压
    2.7 V to 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    20 MHz
推荐的
OPN
FM25W256-GTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM25W256-GTR 是一款高速 256 Kbit F-RAM，具有 151 年的数据保留时间、快速的总线速度写入操作和相当强的写入耐久性，使其成为可靠的非易失性存储器应用的理想选择。它的性能优于传统的串行闪存和 EEPROM，在 -40°C 至 +85°C 的宽工业温度范围内提供高效可靠的性能。其保证的规格和高速 SPI 总线兼容性使其适用于支持 1014 读/写周期或比 EEPROM 多 1 亿倍写入周期的关键应用。

特性

  • 256 Kbit F-RAM 逻辑组织为 32K × 8 
  • 高耐用性，100 万亿 (1014) 次读/写
  • 数据保留 151 年
  • NoDelay ™写入
  • 先进的高可靠性铁电工艺
  • 非常快速的串行外设接口 (SPI)
  • 频率高达 20 MHz
  • 完善的写保护方案
  • 低功耗
  • 宽电压操作：VDD = 2.7 V 至 5.5 V
  • 工业温度：-40°C 至 +85°C

文档

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设计资源

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