FM25W256-GTR
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25W256-GTR

适用于工业应用、工作范围宽的高速 256 Kbit SPI F-RAM
数据手册
封装

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FM25W256-GTR
FM25W256-GTR
数据手册


商品详情

  • Frequency
    20 MHz
  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
FM25W256-GTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
US
FM25W256-GTR是一款256 Kbit（32K × 8）串行铁电RAM（F-RAM），采用高速SPI接口，具备非易失性存储、100万亿次读写耐久性和65°C下151年数据保持能力。工作电压2.7 V至5.5 V，工业级温度范围（–40°C至+85°C），支持最高20 MHz SPI时钟，NoDelay™写入实现总线速度下的瞬时数据存储。硬件和软件写保护、低功耗及8引脚SOIC封装，适用于频繁快速写入应用。

特性

  • 256 Kbit F-RAM，32K × 8结构
  • 10¹⁴次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • SPI总线最高20 MHz
  • 硬件/软件写保护机制
  • 1 MHz下250 μA工作电流
  • 典型待机电流15 μA
  • 宽电压：2.7 V至5.5 V
  • 工业温度：–40°C至+85°C
  • 直接替换串行闪存/EEPROM
  • 支持SPI模式0和3

产品优势

  • 关键数据可靠非易失存储
  • 实时系统无写入延迟
  • 适合频繁快速写入应用
  • 断电防止数据丢失
  • 待机低功耗
  • 宽电压适用灵活
  • 工业环境稳定运行
  • 轻松替换闪存/EEPROM
  • 写保护提升数据安全
  • SPI接口提升系统速度
  • 无闪存/EEPROM磨损问题
  • 易与标准SPI控制器集成
文档

设计资源

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