现货，推荐
符合RoHS标准

FP150R07N3E4_B11

650 V、150 A PIM三相输入整流器IGBT模块
数据手册

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FP150R07N3E4_B11
FP150R07N3E4_B11
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    150 A
  • IC max
    150 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.55 V
  • VCES / VRRM
    650 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.55 V
  • 封装
    EconoPIM™ 3
  • 尺寸 (width)
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    122 mm
  • 技术
    IGBT4 - E4
  • 特性
    PressFIT
  • 电压等级 max
    650 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    PIM
推荐的
OPN
FP150R07N3E4B11BOSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-ECONO3B
封装名 N/A
包装尺寸 10
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-ECONO3B
封装名 -
包装尺寸 10
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EconoPIM ™ 3 650 V、150 A 三相 IGBT 模块，采用 Trench/Fieldstop IGBT4、发射极控制二极管、NTC 和 PressFIT 接触技术。

特性

  • 增加阻断电压。有能力。< 650 V
  • 高电流密度
  • Tvj op = 150°C
  • VCEsat具有正温度。系数。
  • 集成NTC温度传感器
  • 铜底板
  • 标准外壳

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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