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FP50R12N2T7P
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FP50R12N2T7P

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1200 V、50 A PIM IGBT 模块
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FP50R12N2T7P
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商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    50 A
  • 最高 IC
    50 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.5 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.72 V
  • 封装
    EconoPIM™ 2
  • 尺寸 (width)
    45 mm
  • 尺寸 (length)
    107 mm
  • 技术
    IGBT7 - T7
  • 拓扑结构
    PIM
  • 特性
    Solder pin, TIM
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial

OPN
FP50R12N2T7PBPSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 AG-ECONO2B
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
HU
晶圆产地
DE,MY
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 AG-ECONO2B
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
HU
晶圆产地
DE,MY
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EconoPIM ™ 2 1200 V、50 A 三相 PIM IGBT 模块，带有 TRENCHSTOP ™ IGBT7、发射极控制 7 二极管、NTC 和预涂热界面材料。集成整流器和制动斩波器的 PIM（功率集成模块）可节省系统成本。也可提供采用 PressFIT 安装技术的变体。

特性

  • TRENCHSTOP ™ IGBT7
  • 低 VCEsat 和低开关损耗
  • 过载运行温度高达 175°C
  • 2.5 kV AC 1 分钟绝缘
  • 高可靠性和功率密度
  • 铜基板
  • 优化的散热
  • 焊接接触技术
  • 符合 RoHS 标准
  • 预涂导热垫
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