不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

GS-065-011-1-L-TR

CoolGaN ™晶体管 650 V ≤ G3，可实现极致效率和可靠性
数据手册
封装
评估板

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

GS-065-011-1-L-TR
GS-065-011-1-L-TR
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    11 A
  • IDpuls (@25°C) max
    19 A
  • QG
    2.2 nC
  • RDS (on) (typ)
    150 mΩ
  • RDS (on) max
    190 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • Mounting
    SMT
  • Generation
    ≤ G3
  • Qualification
    Industrial
OPN
GS0650111LTRXUMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-VSON-8
封装名 PDFN 5x6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-VSON-8
封装名 PDFN 5x6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
GS-065-011-1-L-TR 是一种增强型硅基氮化镓功率晶体管。GaN的特性允许高电流、高击穿电压和高开关频率。GS-065-011-1-L-TR 是采用 5x6 毫米 PDFN 封装的底部冷却晶体管，可实现现代 USB-C 适配器和充电器或其他中等功率应用所需的理想功率耗散。

特性

  • E-mode HEMT – 通常处于关闭状态
  • 超快速开关
  • 无反向恢复电荷
  • 具有反向传导能力
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 卓越的换向坚固性
  • 符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22)
  • 底部冷却
  • 零反向恢复损耗
  • 用于最佳栅极驱动的源极感应焊盘
  • 快速、可控的下降和上升时间
  • 符合 RoHS 3(6+4) 标准

产品优势

  • 提高系统效率
  • 提高功率密度
  • 减轻系统重量
  • 实现更高的工作频率
  • 降低系统成本
  • 降低 EMI

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }