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符合RoHS标准
无铅

GS-065-060-5-T-A-TR

CoolGaN ™晶体管 650 V ≤ G3，可实现极致效率和可靠性
数据手册

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GS-065-060-5-T-A-TR
GS-065-060-5-T-A-TR
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    60 A
  • IDpuls (@25°C) max
    120 A
  • QG
    14 nC
  • RDS (on) (typ)
    25 mΩ
  • RDS (on) max
    32 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • Mounting
    SMT
  • Generation
    ≤ G3
  • Qualification
    Industrial
OPN
GS0650605TATRXUMA1
产品状态 on request
英飞凌封装名称 PG-WLGA-4
封装名 GaNPX (R)
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 on request
英飞凌封装名称 PG-WLGA-4
封装名 GaNPX (R)
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
GS-065-060-5-TA-TR 是增强型硅基氮化镓功率晶体管。GaN 的特性允许高电流和高开关频率。GS-065-060-5-TA-TR 是采用 GaNPX ®封装的顶部冷却晶体管，具有非常低的结到外壳热阻，适用于高功率应用，例如车载和非车载电动汽车充电器、牵引驱动、ACDC 和 DCDC 转换器、工业电源和可再生能源系统。

特性

  • E 模式 HEMT – 常关
  • 超快开关
  • 无反向恢复电荷
  • 能够反向传导
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 卓越的换向耐用性
  • 符合 JEDEC 标准（JESD47、JESD22）
  • 顶部冷却
  • 零反向恢复损耗
  • 快速、可控的下降和上升时间
  • 符合 RoHS 3(6+4) 要求

产品优势

  • 提高系统效率
  • 提高功率密度
  • 减轻系统重量
  • 实现更高的工作频率
  • 降低系统成本

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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