GS-065-150-1-D2

650 V CoolGaN ™ e-mode 功率晶体管,实现极致效率和可靠性

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GS-065-150-1-D2
GS-065-150-1-D2

商品详情

  • ID (@25°C) max
    150 A
  • QG
    33 nC
  • RDS (on) (typ)
    10 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • Mounting
    SMT
  • Generation
    ≤ G3
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
GS-065-150-1-D2 是一种增强型硅基氮化镓功率晶体管。GaN 的特性允许高电流和高开关频率。GS-065-150-1-D2 是一款高性能 GaN 芯片,设计用于高功率应用的电源模块,例如车载和非车载电动汽车充电器、牵引驱动、工业电源和可再生能源系统。 请在此处联系我们以获取更多信息。

特性

  • E-mode HEMT – 通常处于关闭状态
  • 超快速开关
  • 无反向恢复电荷
  • 具有反向传导能力
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 零反向恢复损耗
  • 快速、可控的下降和上升时间
  • 符合 RoHS 3(6+4) 标准

产品优势

  • 提高系统效率
  • 提高功率密度
  • 减轻系统重量
  • 实现更高的工作频率
  • 降低系统成本

文档

设计资源

开发者社区

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