IAUC60N04S6N044
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUC60N04S6N044

40 V、N 沟道、4.4 mΩ（最大值）、汽车 MOSFET、SSO8（5x6）、OptiMOS ™
数据手册
封装

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IAUC60N04S6N044
IAUC60N04S6N044
数据手册
  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Indonesia, Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    60 A
  • 最高 QG (typ @10V)
    18 nC
  • QG (typ @10V)
    13 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.4 mΩ
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3 V
  • VGS(th)
    2.6 V
  • VGS 范围
    2.2 V 至 3 V
  • 封装
    PG-TDSON-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™6
  • 推出年份
    2019
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2032
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUC60N04S6N044ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
推出适用于坚固汽车应用的 5x6mm² SSO8 无引线封装的 OptiMOS ™ 6 40V MOS 技术。该产品组合包含 16 种产品（最大 RDS(on) 从 0.8mΩ 至 4.4mΩ），非常适合低功率和高功率需求。该封装提供一流的 FOM（RDS(on) x Qg）和 120A 连续电流额定值，比标准 DPAK 高出 25% 以上，同时还具有卓越的开关性能和 EMI 行为（与传统封装相比电感降低约 4 倍）。

特性

  • OptiMOS ™功率 MOSFET
  • N沟道增强模式-正常水平
  • 符合 AEC Q101 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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