IAUCN04S7L038D
新品
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUCN04S7L038D

新品
80V、N 沟道、3.3 mΩ max、车规级MOSFET、Dual SSO8 (5x6)、 OptiMOS™ 7
数据手册
封装

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IAUCN04S7L038D
IAUCN04S7L038D
数据手册


商品详情

  • Country of Assembly
    Malaysia
  • Country of Diffusion
    Austria, Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    60 A
  • 最高 QG (typ @10V)
    20 nC
  • QG (typ @10V)
    15 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.84 mΩ
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 1.8 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • 封装
    PG-TDSON-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™7
  • 推出年份
    2026
  • 极性
    N+N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 系列
    Automotive MOSFET
  • 认证标准
    Automotive

推荐的
OPN
IAUCN04S7L038DATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Dual SSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Dual SSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
全新车规级 OptiMOS™ 7 40 V 双管 MOSFET 采用成熟可靠的 SSO8 5x6mm^2 SMD 封装。其特点是将两个独立的N 沟道 MOSFET 集成在一个封装中，可缩减 PCB 布板面积。它专为满足汽车应用所需的高性能、高质量与高稳健性而设计。新产品系列导通电阻覆盖 1.94 mΩ ~ 5.59 mΩ，最高电流额定值可达 60 A。

特性

  • 5x6 mm^2 紧凑型封装
  • 高达60 A 的大电流能力
  • 前沿的 OptiMOS™ 7 40 V 技术
  • RDSon 范围：1.94mΩ - 5.59 mΩ
  • 采用铜夹的无引线封装，可实现最低的封装阻抗，最小化杂散干扰
  • 高雪崩能力

产品优势

  • 5x6 mm^2 紧凑型封装
  • 60 A 高电流能力
  • 前沿 OptiMOS™ 7 40 V 技术
  • RDSon 范围：1.94mΩ - 5.59 mΩ
  • 采用铜夹的无引线封装，可实现最低的封装阻抗，最小化杂散干扰
  • 高雪崩能力
文档

设计资源

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