IAUCN08S7L033
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUCN08S7L033

80V、N 沟道、3.3 mΩ max、车规级MOSFET、SSO8 (5x6)、 OptiMOS™ 7
数据手册
封装

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IAUCN08S7L033
IAUCN08S7L033
数据手册

商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Indonesia, Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    120 A
  • 最高 QG (typ @10V)
    57.6 nC
  • QG (typ @10V)
    44.3 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.3 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 封装
    PG-TDSON-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™7
  • 推出年份
    2025
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUCN08S7L033ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌在下一代前沿功率技术中推出了另一种 MOSFET； OptiMOS™ 7 80V。该产品采用英飞凌多功能、可靠、高电流 SSO8 5x6mm2 SMD 封装。它专为满足汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而设计。

特性

  • 低导通电阻，RDS(on)
  • 业界领先的 FOM (RDS (on) x Qg)
  • 快速开关时间（开启/关闭）
  • 低封装阻抗和寄生电感
  • 高雪崩电流能力
  • 高 SOA 可靠性
  • 出色的热性能
  • 超越 AEC-Q101 的质量要求
  • 增强电气测试
  • ML1 高达 260°C 高温回流温度
  • 工作温度为 175°C

产品优势

  • 极低的通态损耗
  • 卓越的开关性能
  • 采用 5x6mm 封装的高功率密度
  • 功率效率高
  • 小封装和高效冷却
  • 提高设计可靠性
  • 专为汽车高可靠性而设计
  • 为汽车行业提供高质量的生产
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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