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符合RoHS标准

IAUCN08S7N019T

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80 V、N 沟道、1.94 mΩ(最大值)、汽车 MOSFET、顶部冷却 SSO10T(5x7)、OptiMOS ™ 7
每件.
有存货

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IAUCN08S7N019T
IAUCN08S7N019T
每件.

商品详情

  • ID (@25°C) max
    175 A
  • QG (typ @10V)
    68 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.94 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • Package
    PG-LHDSO-10
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-7
  • Launch year
    2025
  • Polarity
    N
  • Currently planned availability until at least
    2040
  • Qualification
    Automotive
OPN
IAUCN08S7N019TATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SSO10T
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SSO10T
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IAUCN08S7N019T 是一款汽车 MOSFET,采用英飞凌领先的功率半导体技术 OptiMOS ™ 7 80V。该产品采用我们创新的顶部冷却 SSO10T 5x7 mm2 SMD 封装。SSO10T 封装可帮助客户在冷却和功率密度方面取得巨大进步。它专为满足汽车应用对高性能、高质量和稳健性的要求而设计。

特性

  • 直接冷却至 ECU 外壳
  • 几乎没有热量流入 PCB
  • 业界最大的裸露焊盘面积
  • 自由布线
  • 可以在 PCB 背面安装零件
  • 前沿导通电阻,RDS(on)
  • 快速切换时间(开启/关闭)
  • 严格的阈值电压 VGS(th) 范围
  • 超越 AEC-Q101 的扩展资格
  • 增强电气测试
  • 封装符合 JEDEC 标准

产品优势

  • 实现卓越的热管理
  • 热阻改善了 20% 至 50%
  • 热阻提高 20% 至 50%
  • 有助于减少 ECU 体积或 PCB 面积
  • 有助于降低 PCB 成本(面积、铜、过孔)
  • 减少 PCB 和系统设计工作量
  • 有助于实现最高功率密度
  • 减少传导损耗
  • 卓越的切换性能
  • 非常适合平行放置
  • 汽车品质与稳健性
  • 第二来源供应商的潜力

应用

文档

设计资源

开发者社区

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