新品
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUCN10S7N025T

新品
100 V、N 沟道、最大 2.50 mΩ、车规级 MOSFET、顶部散热 SSO10T (5x7)、 OptiMOS™ 7
数据手册
封装

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IAUCN10S7N025T
IAUCN10S7N025T
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    175 A
  • 最高 QG (typ @10V)
    93 nC
  • QG (typ @10V)
    71 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.5 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.3 V 至 3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    PG-LHDSO-10
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™7
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2040
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUCN10S7N025TATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LHDSO-10
封装名 SSO10T
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LHDSO-10
封装名 SSO10T
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IAUZN10S7N078 是一款采用英飞凌先进功率半导体技术打造的车规级 MOSFET； OptiMOS™ 7 100 V。本产品采用我们创新的顶部散热 SSO10T 5x7mm² SMD 封装。SSO10T 封装帮助客户在散热和功率密度方面取得重大进步。它专为满足汽车应用对高性能、高质量和高可靠性的要求而设计。

特性

  • 通往 ECU 外壳的直接散热路径
  • 几乎无热量传导至PCB
  • 业界最大外露焊盘面积
  • 可以在封装下自由布线
  • 支持在PCB背面贴装元器件
  • 业界一流的导通电阻 R<sub>DS(on)</sub>
  • 快速开关速度（开通/关断）
  • 阈值电压V<sub>GS(th)</sub>范围分布集中
  • 超出 AEC-Q101 标准的扩展认证
  • 强化电气测试
  • 封装符合 JEDEC标准认证

产品优势

  • 实现出色的热管理
  • 热阻抗降低 20%至50%
  • 热阻降低 20%至50%
  • 有助于减小ECU体积或PCB面积
  • 有助于降低PCB成本（面积、铜箔、过孔）
  • 简化PCB与系统设计工作量
  • 助力实现高功率密度
  • 最小化导通损耗
  • 卓越的开关性能
  • 非常适合并联使用
  • 满足汽车级品质与高可靠性要求
  • 具备备选供应商潜力

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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