IAUCN10S7N040
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUCN10S7N040

100 V、N 通道、最大 4.0 mΩ、汽车 MOSFET、SSO8 (5x6)、OptiMOS ™ 7
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IAUCN10S7N040
IAUCN10S7N040
数据手册
  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Indonesia, Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany, South Korea
  • 最高 ID (@25°C)
    120 A
  • 最高 QG (typ @10V)
    51.1 nC
  • QG (typ @10V)
    39.3 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.3 V 至 3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    Single SSO8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™7
  • 推出年份
    2024
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUCN10S7N040ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IAUCN10S7N040 是一款汽车 MOSFET，采用英飞凌领先的功率半导体技术 OptiMOS ™ 7 100 V。该产品采用我们多功能、坚固、高电流 SSO8 5x6 mm2 SMD 封装。它专为满足汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而设计。

特性

  • 低导通电阻，RDS(on)
  • 前沿 FOM (RDS(on) x Qg)
  • 快速切换时间（开启/关闭）
  • 高雪崩电流能力
  • 高 SOA 坚固性
  • 严格的阈值电压 VGS(th) 范围
  • 出色的热性能
  • 低封装电阻和电感
  • 独特的融合源引脚
  • 超越 AEC-Q101 的扩展资格
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 极低的传导损耗
  • 卓越的切换性能
  • 5x6 mm2 封装内功率密度最高
  • 高功率效率
  • 占地面积小，高效冷却
  • 非常适合平行放置
  • 提高设计坚固性
  • 焊点可靠性更高
  • 专为汽车坚固性而设计
  • 高品质汽车生产
  • 增强电气测试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }