现货，推荐
符合RoHS标准

IAUS165N08S5N029

80 V、N 沟道、最大 2.9 mΩ、汽车 MOSFET、TOLG (10x12)、OptiMOS ™ -5
数据手册
封装
每件.
有存货

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IAUS165N08S5N029
IAUS165N08S5N029
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    165 A
  • IDpuls max
    660 A
  • Ptot max
    167 W
  • QG (typ @10V) max
    90 nC
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.9 mΩ
  • RthJC max
    0.9 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    TOLG (PG-HSOG-8)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™-5
  • 推出年份
    2018
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUS165N08S5N029ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOG-8
封装名 TOLG
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOG-8
封装名 TOLG
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

特性

  • N沟道 - 增强模式
  • 符合 AEC 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 超低 RDS(on)
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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