现货，推荐
符合RoHS标准

IAUZ30N08S5N186

80 V、N 沟道、18.6 mΩ（最大值）、汽车级 MOSFET、S3O8（3x3）OptiMOS ™ 5
数据手册
封装

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IAUZ30N08S5N186
IAUZ30N08S5N186
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    30 A
  • QG (typ @10V)
    9.3 nC
  • QG (typ @10V) max
    12.1 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    18.6 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Package
    PG-TSDSON-8
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-5
  • Launch year
    2021
  • Polarity
    N
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • Qualification
    Automotive
受到推崇的
OPN
IAUZ30N08S5N186ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IAUZ30N08S5N186 是一款 18.6mR 80V MOSFET，采用 3x3 mm² S3O8 封装，使用英飞凌领先的 OptiMOS ™ 5 技术。除其他外，它还用于泵、电池管理系统以及 ADAS 应用。

特性

  • OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET
  • N沟道增强模式-正常水平
  • 符合 AEC Q101 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

文档

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