现货，推荐
符合RoHS标准

IAUZN04S7L030

40 V、N 沟道、3.05 mΩ、汽车功率 MOSFET、S3O8 (3x3)、 OptiMOS™ 7
数据手册
封装

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IAUZN04S7L030
IAUZN04S7L030
数据手册

商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria
  • ID (@25°C) max
    60 A
  • QG (typ @10V)
    18 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.05 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • 封装
    S3O8
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™7
  • 拓扑结构
    OptiMOS™-7
  • 推出年份
    2025
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUZN04S7L030ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
高电流、低RDS(on) 功率 MOSFET，采用 3x3mm² 先进无引脚封装，带有铜夹，适用于小封装 Ron 和最小杂散干扰，提供高功率密度、低通态损耗和优化的开关行为，与传统封装相比，封装尺寸更小，非常适合汽车应用，例如 功率分配、车身控制模块和电机。

特性

  • 3x3 mm² 小型封装
  • 60A 大电流能力
  • 先进的无引脚封装
  • 前沿OptiMOS™ -7 40V技术
  • RDS(on) 范围：1.2 mΩ – 4.9 mΩ
  • 低 RDS(on) 和低寄生电感的内部铜夹连接
  • 高雪崩能力
  • 高 SOA 可靠性
  • 支持 PPAP

产品优势

  • 最高功率和电流密度
  • 高热容量封装框架
  • 减少通态损耗
  • 优化开关行为
  • 简化封装尺寸vs 引线封装
  • JEDEC 行业标准。封装 PG-TSDSON-8

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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