ICE2QR1065Z

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ICE2QR1065Z
ICE2QR1065Z

商品详情

  • 最高 ESD保护
    2 kV
  • ICC
    1.5 mA
  • 最高 Pout
    34 W
  • 最高 RDS (on)
    1.05 Ω
  • tf
    30 ns
  • tr
    30 ns
  • VCC 范围
    10.5 V 至 24 V
  • 最高 VDS
    650 V
  • 子应用程序
    Offline SMPS
  • 安装
    THT
  • 封装
    PG-DIP-7
  • 工作温度 范围
    -25 °C 至 130 °C
  • 开关频率
    Variable
  • 技术
    Gen2
  • 拓扑结构
    Flyback
  • 目标应用程序
    Power Supplies
  • 类型
    PWM controller with integrated MOSFET
  • 系列
    CoolSET™
  • 绿色产品
    Yes
  • 频率范围
    Variable
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
集成电源管理 IC,带有 650V 雪崩耐压 CoolMOS ™ 、启动单元和 DIP-7 封装中的 QR 电流模式反激式 PWM 控制器。适用于 35W SMPS 设计。准 QR CoolSET ™系列继续提供设计灵活性和小型化。继 F3 CoolSET ™成功推出之后,该新系列提供了更高的效率和更好的 EMI 性能的可能性。数字降频功能可实现非常稳定的运行,同时减少负载变化,而折返校正可将最大功率限制保持在 SMPS 设计人员所需的公差范围内。低功耗期间的主动突发模式操作,在提供最佳待机功耗方面保持市场领先地位。

特性

  • 集成电源 IC,配备 650V 雪崩耐压 CoolMOS ™ 、启动单元和 QR 反激式 PWM 控制器
  • 数字频率随负载减小而降低,
  • 逐周期电流限制和折返校正
  • 内置数字软启动
  • 主动突发模式,可实现最低待机功耗 <50mW
  • 闭锁模式,用于短路绕组和输出电压
  • 增强型集成保护功能、调制栅极驱动等。

产品优势

  •  效率更高
  •  EMI 噪声低
  •  待机功耗低等

应用

文档

设计资源

开发者社区

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