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商品详情
-
ESD保护 max2 kV
-
ICC3.8 mA
-
Pout max34 W
-
RDS (on) max1.05 Ω
-
tf30 ns
-
tr30 ns
-
VCC10.5 V to 26 V
-
VDS max650 V
-
子应用程序Offline SMPS
-
安装THD
-
封装PG-DIP-8
-
工作温度-25 °C to 130 °C
-
开关频率100 kHz
-
技术Gen3
-
拓扑结构Flyback
-
目标应用程序Power Supplies
-
类型PWM controller with integrated MOSFET
-
绿色产品Yes
-
预算价格€/1k1.06
-
频率范围100kHz fixed
|
OPN
|
ICE3A2065ELJFKLA1 | |
|---|---|---|
| 产品状态 | not for new design | |
| 英飞凌封装名称 | ||
| 封装名 | N/A | |
| 包装尺寸 | 2000 | |
| 包装类型 | TUBE | |
| 湿度 | NA | |
| 防潮包装 | NON DRY | |
| 无铅 | Yes | |
| 无卤素 | No | |
| 符合RoHS标准 | Yes | |
|
Infineon stock last updated:
|
每件. 有存货 | |
|
|
||
|
|
||
|
|
| 产品状态 | not for new design |
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | - |
| 包装尺寸 | 2000 |
| 包装类型 | TUBE |
| 湿度 | NA |
| 防潮包装 | NON DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
特性
- 主动突发模式可达到最低待机功耗 100mW
- 内置锁存关闭模式和外部锁存使能功能,可提高系统的稳健性
- 内置可扩展的消隐窗口,用于高负载跳跃,可提高系统可靠性
- 内置软启动
- 频率抖动可降低 EMI
- 对系统噪声具有稳健性
- 无铅电镀;符合 RoHS 标准
产品优势
- 650V 耐雪崩 CoolMOS ® ,内置启动单元
- 主动突发模式,待机功耗最低
- 主动突发模式下的快速负载跳跃响应
- 100kHz 内部固定开关频率
- 内置锁存关闭模式,用于过热、过压和短路绕组检测
- 自动重启模式,用于过载、开环和VCC 欠压
- 内置软启动
- 内置和可扩展消隐窗口,适用于短时大电流•外部锁存使能功能
- 最大占空比 75%
- 电流限制总公差 <±5%
- 内部 PWM 前沿消隐
- BiCMOS 技术提供宽 VCC 范围
- 频率抖动和软驱动,可实现低 EMI
- 对 ESD、雷击浪涌等系统噪声具有鲁棒性