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符合RoHS标准
无铅

ICE5BR2280BZ

集成 800 V CoolMOS ™超结 MOSFET 的 65 kHz 离线反激式和降压稳压器
每件.
有存货

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ICE5BR2280BZ
ICE5BR2280BZ
每件.

商品详情

  • ESD Protection max
    2 kV
  • ICC
    0.9 mA
  • Pout max
    22 W
  • RDS (on) max
    2.35 Ω
  • VCC
    10.5 V to 24 V
  • VDS max
    800 V
  • Sub Application
    Offline SMPS
  • Mounting
    THD
  • Package
    PG-DIP-7
  • Operating Temperature
    -40 °C to 129 °C
  • Switching Frequency
    65 kHz
  • Technology
    Gen5
  • Topology
    Flyback, Non-isolated flyback, Buck
  • Target Application
    Power Supplies, Industrial, Consumer, Home appliances, SMPS
  • Type
    PWM controller with integrated MOSFET
  • Green Product
    Yes
OPN
ICE5BR2280BZXKLA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 N/A
包装尺寸 2000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
包装尺寸 2000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
ICE5BR2280BZ:高度集成的电流模式控制器,带有 800V CoolMOS ™ MOSFET。支持电源隔离/非隔离拓扑(反激式/降压)。用于直接反馈的集成误差放大器。宽输入电压范围,优化的缓冲电路以提高效率。DIP-7 封装具有保护功能、频率抖动、频率降低和主动突发模式,可增强性能。

特性

  • 集成 800 V 超结 MOSFET,最大开关频率为 65 kHz
  • 集成误差放大器,支持非隔离拓扑的典型直接反馈
  • 支持隔离和非隔离反激拓扑,输出功率高达 22 W
  • 支持非隔离降压拓扑,输出电流高达 700 mA
  • 所有保护功能均自动重启

产品优势

  • 通过数字降频提高中载和轻载效率
  • 集成误差放大器,简化设计并减少 BOM 数量
  • 经济高效的降压拓扑可替代非隔离反激式拓扑
  • 单个器件同时支持反激式和降压拓扑,简化供应链
  • 同一系列中的类似引脚排列和开关频率允许调整集成 MOSFET 的功率和击穿电压。另请参阅 ICE5BR4780BZ 和 ICE5BR3995BZ。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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