ICE5BR2280BZ
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

ICE5BR2280BZ

集成 800 V CoolMOS ™超结 MOSFET 的 65 kHz 离线反激式和降压稳压器
数据手册
封装

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ICE5BR2280BZ
ICE5BR2280BZ
数据手册


商品详情

  • 最高 ESD保护
    2 kV
  • ICC
    0.9 mA
  • 最高 Pout
    22 W
  • 最高 RDS (on)
    2.35 Ω
  • VCC 范围
    10.5 V 至 24 V
  • 最高 VDS
    800 V
  • 子应用程序
    Offline SMPS
  • 安装
    THD
  • 封装
    PG-DIP-7
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 129 °C
  • 开关频率
    65 kHz
  • 技术
    Gen5
  • 拓扑
    Flyback, Non-isolated flyback, Buck
  • 目标应用程序
    Power Supplies, Industrial, Consumer, Home appliances, SMPS
  • 类型
    PWM controller with integrated MOSFET
  • 绿色产品
    Yes

推荐的
OPN
ICE5BR2280BZXKLA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DIP-7
封装名 N/A
封装尺寸 2000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DIP-7
封装名 -
封装尺寸 2000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
ICE5BR2280BZ：高度集成的电流模式控制器，带有 800V CoolMOS ™ MOSFET。支持电源隔离/非隔离拓扑（反激式/降压）。用于直接反馈的集成误差放大器。宽输入电压范围，优化的缓冲电路以提高效率。DIP-7 封装具有保护功能、频率抖动、频率降低和主动突发模式，可增强性能。

特性

  • 集成 800 V 超结 MOSFET，最大开关频率为 65 kHz
  • 集成误差放大器，支持非隔离拓扑的典型直接反馈
  • 支持隔离和非隔离反激拓扑，输出功率高达 22 W
  • 支持非隔离降压拓扑，输出电流高达 700 mA
  • 所有保护功能均自动重启

产品优势

  • 通过数字降频提高中载和轻载效率
  • 集成误差放大器，简化设计并减少 BOM 数量
  • 经济高效的降压拓扑可替代非隔离反激式拓扑
  • 单个器件同时支持反激式和降压拓扑，简化供应链
  • 同一系列中的类似引脚排列和开关频率允许调整集成 MOSFET 的功率和击穿电压。另请参阅 ICE5BR4780BZ 和 ICE5BR3995BZ。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区