IDC73D120T8M
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

IDC73D120T8M

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IDC73D120T8M
IDC73D120T8M
  • 最高 I(FSM)
    300 A
  • 最高 IF
    150 A
  • 最高 IR
    26 µA
  • 最高 VDS
    1200 V
  • VF
    1.25 V
  • 技术
    Emitter Controlled Diode 4 Medium Power
OPN
IDC73D120T8MX1SA1
产品状态 active
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 WAFER SAWN
湿度 N/A
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 WAFER SAWN
湿度 -
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
适用于低/中功率模块的快速开关发射极控制二极管。

特性

  • 1200 V 发射器控制 4 技术。
  • 110 µm 芯片
  • 软开关、快速开关
  • 低反向恢复电荷
  • 小温度系数

应用

文档

设计资源

开发者社区

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