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IDW40E65D2
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IDW40E65D2

停产
采用 TO-247 封装的 650 V 硅功率二极管

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IDW40E65D2
IDW40E65D2


商品详情

  • 最高 I(FSM)
    320 A
  • 最高 IF
    80 A
  • IF
    40 A
  • 最高 IR
    40 µA
  • Irrm
    2.9 A
  • 最高 Ptot
    180 W
  • Qrr
    0.13 µC
  • 最高 RthJC
    0.84 K/W
  • trr
    75 ns
  • 最高 VF
    1.6 V
  • VF
    1.6 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 175 °C
  • 拓扑结构
    Single
  • 最高 电压等级
    650 V

OPN
IDW40E65D2FKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
MY

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
MY
采用 TO-247 封装的 Rapid 2 开关 650 V、40 A 发射极控制功率硅二极管专为在 40 kHz 和 100 kHz 之间切换的应用而设计。

特性

  • 最低反向恢复电荷
  • 最高软度因子
  • 低反向恢复时间 (trr)
  • 最低 Irrm
  • 升压开关上的低导通损耗
文档

设计资源

开发者社区