IDWD10G200C5
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IDWD10G200C5

CoolSiC ™肖特基二极管 2000 V，采用 TO-247-2 封装
数据手册
封装

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IDWD10G200C5
IDWD10G200C5
数据手册

商品详情

  • 最高 I(FSM)
    97 A
  • 最高 IF
    10 A
  • IR
    5 µA
  • 最高 Ptot
    245 W
  • QC
    89 nC
  • RthJC
    0.47 K/W
  • VF
    1.5 V
  • 封装
    PG-TO247-2
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IDWD10G200C5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-2
封装名 N/A
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-2
封装名 -
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO-247-2 封装的 CoolSiC ™肖特基二极管 2000 V、10 A 第五代可在高达 1500 VDC 的高直流链路系统中实现更高的效率并简化设计。该二极管采用 .XT 互连技术，具有一流的热性能，并且在 HV-H3TRB 可靠性测试中表现出极强的抗湿气能力。该二极管既没有反向恢复电流，也没有正向恢复电流，且具有较低的正向电压，从而确保增强的系统性能。 该二极管非常适合匹配的 CoolSiC ™ MOSFET 2000 V 产品组合。

特性

  • VRRM = 2000 V
  • 我F= 10 A
  • VF = 1.5 V
  • 无反向恢复电流
  • 无前向恢复
  • 高浪涌电流承受能力
  • 低正向电压
  • 紧密的正向电压分布
  • 指定的 dv/dt 耐用性
  • .XT互连技术

产品优势

  • 高功率密度
  • 提供匹配的 MOSFET
  • 拓扑简化
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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