IDWD50E65E7
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

IDWD50E65E7

采用 TO-247-2 2 引脚封装的 650 V 硅功率二极管

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IDWD50E65E7
IDWD50E65E7
  • 最高 I(FSM)
    228 A
  • 最高 IF
    92 A
  • IF
    59 A
  • 最高 IR
    20 µA
  • Irrm
    17.3 A
  • 最高 Ptot
    188 W
  • Qrr
    0.95 µC
  • 最高 RthJC
    0.799 K/W
  • trr
    94 ns
  • VF
    1.65 V
  • 最高 VF
    2.1 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 175 °C
  • 最高 电压等级
    650 V
  • 配置
    Single
OPN
IDWD50E65E7XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 N/A
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
软开关 650 V、50 A 发射极控制 7 个硅二极管,采用 TO-247 实心引线 2 引脚封装,具有更高的柔软度、耐湿性和可靠性,适用于工业和家用电器应用。

特性

  • 低且温度稳定的 VF
  • 非常柔和且快速的恢复行为
  • 低反向恢复电流 (Irrm)
  • HV-H3TRB 通过 Jedec 标准
  • 宇宙射线坚固性
  • 最高结温 175°C
  • 符合 JEDEC 标准

产品优势

  • 高效系统
  • 最大化系统输出功率
  • 优化性能
  • 湿度稳健性
文档

设计资源

开发者社区

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