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符合RoHS标准
无铅

IDYH80G200C5

CoolSiC ™肖特基二极管 2000 V,采用 TO-247PLUS-4 HCC 封装
每件.
有存货

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IDYH80G200C5
IDYH80G200C5
每件.

商品详情

  • I(FSM) max
    463 A
  • IF max
    80 A
  • IR
    0.04 mA
  • Ptot max
    656 W
  • QC
    716 nC
  • RthJC
    0.1 K/W
  • VF
    1.5 V
  • 封装
    PG-TO247-4-PLUS
  • 认证标准
    Industrial
OPN
IDYH80G200C5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 N/A
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 TO-247PLUS-4 HCC 封装的 CoolSiC ™肖特基二极管 2000 V、80 A 第五代可在高达 1500 VDC 的高直流链路系统中实现更高的效率并简化设计。新型 TO-247PLUS-4 HCC 封装的爬电距离延长至 14 毫米,电气间隙距离延长至 5.4 毫米,可在恶劣环境下提供额外的安全性。 该二极管采用 .XT 互连技术,具有一流的热性能,并且具有很强的抗湿性。该二极管非常适合匹配的 CoolSiC ™ MOSFET 2000 V 产品组合。

特性

  • VRRM = 2000 V
  • 电流F = 80A
  • VF = 1.5V
  • 无反向恢复电流
  • 无前向恢复
  • 高浪涌电流承受能力
  • 不受温度影响的开关行为
  • 低正向电压
  • 紧密的正向电压分布
  • 指定的 dv/dt 耐用性
  • .XT互连技术

产品优势

  • 高达 1500 VDC
  • 的高直流链路系统
  • 最小化传导损耗
  • 无反向恢复电流
  • 功率更高,零件数量减少一半
  • 拓扑简化
  • 提高可靠性

文档

设计资源

开发者社区

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