IFF750B12ME7_B11
现货，推荐
符合RoHS标准

IFF750B12ME7_B11

1200 V、750 A 半桥 IGBT 模块
数据手册

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IFF750B12ME7_B11
IFF750B12ME7_B11
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    750 A
  • 最高 IC
    750 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.5 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • 封装
    EconoDUAL™ 3
  • 尺寸 (width)
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    152 mm
  • 技术
    IGBT7 - E7
  • 特性
    PressFIT, Current sense shunts
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    half-bridge
推荐的
OPN
IFF750B12ME7B11BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-ECONOD
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-ECONOD
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EconoDUAL™ 3 1200 V、750 A 半桥TRENCHSTOP ™ IGBT7 模块，具有发射极控制的 7 二极管、NTC、集成电流采样电阻和 PressFIT 压接技术。

特性

  • 高功率密度
  • Tvj op = 175°C过载
  • 改进的端子
  • 压接控制引脚和螺丝乘方端子
  • 用于直接电流测量的集成检流电阻
  • 集成NTC温度传感器
  • 隔离基板
  • 紧凑且坚固采用模压端子设计
  • 可焊接压接辅助端子

产品优势

  • 相同框架尺寸下更高的逆变器输出电流
  • 避免 IGBT 模块并联
  • 通过简化逆变器系统降低系统成本
  • 组装简便、可靠
  • 互连可靠性高
  • 适用于压入和焊接工艺
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