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符合RoHS标准

IGB50N60T

600 V、50 A IGBT 分立器件，采用 TO263 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IGB50N60T
IGB50N60T
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    1.4 mJ
  • Eon
    1.2 mJ
  • IC (@ 100°) max
    90 A
  • IC (@ 25°) max
    64 A
  • ICpuls max
    150 A
  • Ptot max
    333 W
  • QGate
    310 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    7 Ω
  • td(off)
    299 ns
  • td(on)
    26 ns
  • tf
    29 ns
  • tr
    29 ns
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE max
    600 V
  • Package
    D2PAK (TO-263-3)
  • Switching Frequency
    2 kHz to 20 kHz
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™
受到推崇的
OPN
IGB50N60TATMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 TO263 D2Pak 封装的硬开关 600 V、50 A 单个 TRENCHSTOP ™ IGBT3，由于结合了沟槽单元和场终止概念，可显著提高器件的静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管的组合可进一步最大限度地减少开通损耗。 平衡了开关损耗和导通损耗的最佳方案，因此可以实现最高效率。

特性

  • 最低 VCEsat 压降
  • 低开关损耗
  • 正温度。系数在 VCEsat
  • 易于并联开关能力
  • 非常柔软，快速恢复二极管
  • 高耐用性
  • 温度稳定性行为
  • 低 EMI 辐射
  • 低栅极电荷
  • 非常紧密的参数分布

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }