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符合RoHS标准

IGC090S18S1

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CoolGaN™ 晶体管，175V G3，PQFN 3x5，6.7 mΩ
数据手册
封装
评估板

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IGC090S18S1
IGC090S18S1
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    46 A
  • 最高 IDpuls (@25°C)
    340 A
  • QG
    8.2 nC
  • RDS (on) (typ)
    6.7 mΩ
  • 最高 VDS
    175 V
  • 封装
    PQFN
  • 认证标准
    Industrial
OPN
产品状态 coming soon
英飞凌封装名称
PG-TSON-6
封装名 N/A
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 1
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 coming soon
英飞凌封装名称
PG-TSON-6
封装名 -
包装尺寸 0
包装类型
湿度 1
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IGC090S18S1 是一款 175V 常闭 e 模式功率晶体管，采用小型 PQFN 3x5 封装，可实现高功率密度设计。由于其极低的电压导通电阻，它是高电压和大电流应用中可靠性能的理想选择。

特性

  • 175 V e-mode 功率晶体管
  • 双面散热封装
  • 无反向恢复电荷
  • 反向导通能力
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 符合 JEDEC 标准

产品优势

  • 一流的功率密度
  • 高效率
  • 优化的热管理
  • 实现更小、更轻的设计
  • 卓越的可靠性
  • 降低 BOM 成本

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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