IGLD60R190D1S

IGLD60R190D1S

CoolGaN ™ 600 V 增强型功率晶体管，具有快速开启和关闭速度以及最小开关损耗
数据手册

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IGLD60R190D1S
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商品详情

  • 最高 ID (@ TA=25°C)
    10 A
  • 最高 IDpuls (@25°C)
    23 A
  • QG
    3.2 nC
  • RDS (on) (typ)
    140 mΩ
  • 最高 VDS
    600 V
  • 产品名称
    IGLD60R190D1S
  • 环保认证
    RoHS compliant, Halogen free

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IGLD60R190D1S 能够实现更紧凑的拓扑结构，并具有更高的效率和更高的运行频率。 它通过了广泛的 GaN 特定资格认证流程，超过了行业标准。 它采用底部冷却的 LSON-8（DFN 8x8）封装，可实现当代 USB-C 适配器和充电器所需的理想功率耗散。

特性

  • E-mode HEMT – 通常处于关闭状态
  • 超快速开关
  • 无反向恢复电荷
  • 具有反向传导能力
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 卓越的换向坚固性
  • 消费级认证
  • 底部冷却

产品优势

  • 提高系统效率
  • 提高功率密度
  • 实现更高的工作频率
  • 降低系统成本
  • 降低 EMI

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区