IGLD60R190D1S

CoolGaN ™ 600 V 增强型功率晶体管，具有快速开启和关闭速度以及最小开关损耗
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IGLD60R190D1S
IGLD60R190D1S
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@ TA=25°C)
    10 A
  • 最高 IDpuls (@25°C)
    23 A
  • QG
    3.2 nC
  • RDS (on) (typ)
    140 mΩ
  • 最高 VDS
    600 V
  • 产品名称
    IGLD60R190D1S
  • 环保认证
    RoHS compliant, Halogen free
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IGLD60R190D1S 能够实现更紧凑的拓扑结构，并具有更高的效率和更高的运行频率。 它通过了广泛的 GaN 特定资格认证流程，超过了行业标准。 它采用底部冷却的 LSON-8（DFN 8x8）封装，可实现当代 USB-C 适配器和充电器所需的理想功率耗散。

特性

  • E-mode HEMT – 通常处于关闭状态
  • 超快速开关
  • 无反向恢复电荷
  • 具有反向传导能力
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 卓越的换向坚固性
  • 消费级认证
  • 底部冷却

产品优势

  • 提高系统效率
  • 提高功率密度
  • 实现更高的工作频率
  • 降低系统成本
  • 降低 EMI

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }