请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本 请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本
视图替换
停产
已停产
符合RoHS标准

IGLD60R190D1S

停产
CoolGaN ™ 600 V 增强型功率晶体管，具有快速开启和关闭速度以及最小开关损耗
数据手册
封装
视图替换

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IGLD60R190D1S
IGLD60R190D1S
视图替换
数据手册

商品详情

  • ID (@ TA=25°C) max
    10 A
  • IDpuls (@25°C) max
    23 A
  • QG
    3.2 nC
  • RDS (on) (typ)
    140 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • 产品名称
    IGLD60R190D1S
  • 环保认证
    RoHS compliant, Halogen free
OPN
IGLD60R190D1SAUMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-LSON-8
封装名 N/A
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
视图替换

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-LSON-8
封装名 -
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IGLD60R190D1S 能够实现更紧凑的拓扑结构，并具有更高的效率和更高的运行频率。 它通过了广泛的 GaN 特定资格认证流程，超过了行业标准。 它采用底部冷却的 LSON-8（DFN 8x8）封装，可实现当代 USB-C 适配器和充电器所需的理想功率耗散。

特性

  • E-mode HEMT – 通常处于关闭状态
  • 超快速开关
  • 无反向恢复电荷
  • 具有反向传导能力
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 卓越的换向坚固性
  • 消费级认证
  • 底部冷却

产品优势

  • 提高系统效率
  • 提高功率密度
  • 实现更高的工作频率
  • 降低系统成本
  • 降低 EMI

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }