不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IGP30N60H3

采用 TO220 封装的 600 V、30 A IGBT3
数据手册
封装
每件.
有存货

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IGP30N60H3
IGP30N60H3
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.44 mJ
  • Eon
    0.73 mJ
  • IC (@ 100°) max
    30 A
  • IC (@ 25°) max
    60 A
  • ICpuls max
    120 A
  • Ptot max
    187 W
  • QGate
    165 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10.5 Ω
  • td(off)
    207 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    22 ns
  • tr
    22 ns
  • VCE(sat)
    1.95 V
  • VCE max
    600 V
  • Package
    TO-220
  • Switching Frequency
    20 kHz to 100 kHz
  • Technology
    IGBT HighSpeed 3
OPN
IGP30N60H3XKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 TO220 封装的高速 600 V、30 A 单个 TRENCHSTOP ™ IGBT3 在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳折衷。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为，从而实现较低的关断损耗。

特性

  • 低开关损耗
  • 出色的 Vce(sat) 行为
  • 快速开关行为
  • 低 EMI 辐射
  • 优化二极管：
  • 改善开关损耗
  • 低栅极电阻选择。
  • 出色的开关行为 (@>5 Ω)
  • 短路能力 5µs
  • 提供 175°C 的 Tj(max)
  • 包装有免费和无免费两种。二极管

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