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IGP30N65F5
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IGP30N65F5

停产
数据手册
封装

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IGP30N65F5
IGP30N65F5
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.07 mJ
  • Eon
    0.28 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    35 A
  • 最高 IC (@ 25°)
    55 A
  • 最高 ICpuls
    90 A
  • 最高 Ptot
    188 W
  • QGate
    70 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    174 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    15 ns
  • tr
    4 ns
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • 封装
    TO-220
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™5 60-120 kHz
  • 开关频率 范围
    60 kHz 至 120 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
IGP30N65F5XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 TRENCHSTOP™ 5 Auto IGBT 技术重新定义了“同类最佳”IGBT，为硬开关应用提供无与伦比的效率。 新系列是 IGBT 创新的重大突破，可满足未来市场对高效率的需求。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 与我们的 HighSpeed 3 系列相比
  • Qg
  • 开关损耗降低 2 倍
  • VCE(sat)
  • 降低 200 mV
  • 低 COES/EOSS
  • 温和阳性。温度。 系数。VCE(sat)
  • Vf
  • 的温度稳定性

应用

文档

设计资源

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