不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IGP40N65F5

650 V、40 A IGBT 分立器件，采用 TO-247 封装
数据手册
封装

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IGP40N65F5
IGP40N65F5
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.1 mJ
  • Eon
    0.36 mJ
  • IC (@ 100°) max
    46 A
  • IC (@ 25°) max
    74 A
  • ICpuls max
    120 A
  • Ptot max
    255 W
  • QGate
    95 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    15 Ω
  • td(off)
    160 ns
  • td(on)
    19 ns
  • tf
    16 ns
  • tr
    13 ns
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE max
    650 V
  • Package
    TO-220
  • Switching Frequency
    60 kHz to 120 kHz
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
IGP40N65F5XKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO-247 封装的硬开关 650 V、40 A TRENCHSTOP ™ 5 IGBT 分立器件可满足高效率需求。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 与 HighSpeed 3 系列相比：
  • Qg
  • 开关损耗降低 2 倍
  • VCE(sat)
    • 降低 200 mV
  • 低 COES/EOSS
  • 温和的正温度。系数
  • Vf
的温度稳定性

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