现货，推荐
符合RoHS标准

IGT65R055D2

CoolGaN ™晶体管 650 V G5
数据手册
封装
评估板

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IGT65R055D2
IGT65R055D2
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    31 A
  • IDpuls (@25°C) max
    60 A
  • QG
    4.7 nC
  • RDS (on) (typ)
    55 mΩ
  • RDS (on) max
    66 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    TOLL
  • Generation
    G5
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IGT65R055D2ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 N/A
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 -
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IGT65R055D2 GaN功率晶体管可提高高频运行时的效率。作为 CoolGaN ™ 650 V G5 系列的一部分，它符合最高质量标准，可实现具有卓越效率的高可靠性设计。 它采用底部冷却的 TOLL 封装，旨在实现各种工业应用中的最佳功率耗散。

特性

  • 650 V e-mode 功率晶体管
  • 超快速开关
  • 无反向恢复电荷
  • 具有反向传导能力
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 卓越的换向稳定性
  • 低动态 RDS(on)
  • 高 ESD 耐受性：2 kV HBM - 1 kV CDM
  • 底部冷却封装
  • 符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22)

产品优势

  • 支持高工作频率
  • 实现最高系统效率
  • 实现超高功率密度设计
  • 支持节省 BOM 成本

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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