现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IGW75N60T

600 V、75 A IGBT 分立器件，采用 TO-247 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IGW75N60T
IGW75N60T
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    2.5 mJ
  • Eon
    2 mJ
  • IC (@ 100°) max
    75 A
  • IC (@ 25°) max
    150 A
  • ICpuls max
    225 A
  • Ptot max
    428 W
  • QGate
    470 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    5 Ω
  • td(off)
    330 ns
  • td(on)
    33 ns
  • tf
    35 ns
  • tr
    36 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE max
    600 V
  • 封装
    TO-247
  • 开关频率
    2 kHz to 20 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™
推荐的
OPN
IGW75N60TFKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 TO-247 封装的硬开关 600 V、75 A 单个 TRENCHSTOP ™ IGBT3，由于结合了沟槽单元和场终止概念，可显著提高器件的静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管的组合可进一步最大限度地减少开通损耗。 平衡了开关损耗和导通损耗的最佳方案，因此可以实现最高效率。

特性

  • 最低 VCEsat 压降
  • 低开关损耗
  • 正温度。科埃菲。在 VCEsat
  • 轻松并行开关能力
  • 非常软轧的二极管
  • 高耐用性
  • 温度稳定性能
  • 低 EMI 辐射
  • 低栅极电荷
  • 非常严格的参数分布

产品优势

  • 最高效率
  • 全面的产品组合
  • 高设备可靠性
  • 低传导和开关损耗

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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