IHW25N120R2

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IHW25N120R2
IHW25N120R2

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    2.54 mJ
  • IC (@ 25° ) max
    50 A
  • IC (@ 100°) max
    25 A
  • ICpuls max
    75 A
  • IF max
    50 A
  • IFpuls max
    75 A
  • Ptot max
    365 W
  • QGate
    60.7 nC
  • td(off)
    324 ns
  • tf
    55.8 ns
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE max
    1200 V
  • VF
    1.5 V
  • VGE(th)
    5.8 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    8 kHz to 60 kHz
  • 技术
    IGBT RC Soft Switching
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
第二代反向传导 1200 V、25 A TRENCHSTOP ™ RC-IGBT3 和 Fieldstop 技术采用 TO-247 封装中的单片集成反向传导二极管,已针对更低的开关和传导损耗进行了优化。降低的功耗加上软开关行为可以实现更好的热性能和 EMI 行为,从而降低系统成本。可以以较低的成本实现优异的性能。

特性

  • 一流的 VCEsat 和 Vf
  • 最低的开关损耗
  • 稳定的温度特性
  • 软电流关断波形
  • 高击穿电压
  • 抗电流尖峰 (SOA)

应用

文档

设计资源

开发者社区

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