IHW50N65R6
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IHW50N65R6

650 V、50 A IGBT，采用 TO-247 封装，集成单片二极管
数据手册
封装

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IHW50N65R6
IHW50N65R6
数据手册


商品详情

  • Eoff (Soft Switching)
    0.2 mJ
  • Eoff (Hard Switching)
    0.66 mJ
  • Eon
    1.5 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    100 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    65 A
  • 最高 ICpuls
    150 A
  • 最高 IF
    39 A
  • 最高 IFpuls
    150 A
  • Irrm
    37 A
  • 最高 Ptot
    251 W
  • QGate
    199 nC
  • Qrr
    2500 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    261 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    14 ns
  • tr
    25 ns
  • VCE(sat)
    1.3 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.51 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    RC-H6 Series 20-150 kHz
  • 开关频率 范围
    20 kHz 至 75 kHz
  • 技术
    IGBT RC Soft Switching

推荐的
OPN
IHW50N65R6XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
反向导电 R6 650 V、50 A IGBT 采用 TO-247 封装，带有单片集成二极管，旨在满足使用半桥谐振拓扑的感应加热应用的苛刻要求。由于最佳系统性能和与现有栅极驱动器解决方案的高度兼容性，650 V R6 IGBT 代表了软开关拓扑的最佳选择。

特性

  • 非常低的 VCEsat 和低 Eoff
  • 高坚固性
  • 稳定的温度行为
  • 正温度。系数，单位为 VCEsat
  • 易于并联切换
  • 频率范围：20-75 kHz
  • 低 EMI
  • 参数分布非常紧密
  • 最大工作温度 TJ 为 175 °C

产品优势

  • IGBT 损耗最低
  • 替代前代产品 R5
  • 器件可靠性高
  • EMI 性能良好
  • 系统效率高
  • 功率输出更高
文档

设计资源

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