现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IHW50N65R6

650 V、50 A IGBT，采用 TO-247 封装，集成单片二极管
数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IHW50N65R6
IHW50N65R6
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Soft Switching)
    0.2 mJ
  • Eoff (Hard Switching)
    0.66 mJ
  • Eon
    1.5 mJ
  • IC (@ 25°) max
    100 A
  • IC (@ 100°) max
    65 A
  • ICpuls max
    150 A
  • IF max
    39 A
  • IFpuls max
    150 A
  • Irrm
    37 A
  • Ptot max
    251 W
  • QGate
    199 nC
  • Qrr
    2500 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    261 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    14 ns
  • tr
    25 ns
  • VCE(sat)
    1.3 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.51 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    20 kHz to 75 kHz
  • 技术
    IGBT RC Soft Switching
推荐的
OPN
IHW50N65R6XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
反向导电 R6 650 V、50 A IGBT 采用 TO-247 封装，带有单片集成二极管，旨在满足使用半桥谐振拓扑的感应加热应用的苛刻要求。由于最佳系统性能和与现有栅极驱动器解决方案的高度兼容性，650 V R6 IGBT 代表了软开关拓扑的最佳选择。

特性

  • 非常低的 VCEsat 和低 Eoff
  • 高坚固性
  • 稳定的温度行为
  • 正温度。系数，单位为 VCEsat
  • 易于并联切换
  • 频率范围：20-75 kHz
  • 低 EMI
  • 参数分布非常紧密
  • 最大工作温度 TJ 为 175 °C

产品优势

  • IGBT 损耗最低
  • 替代前代产品 R5
  • 器件可靠性高
  • EMI 性能良好
  • 系统效率高
  • 功率输出更高

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }