在产
符合RoHS标准
无铅

IKFW50N60ET

600 V、50 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247 封装
数据手册
封装

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IKFW50N60ET
IKFW50N60ET
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    1.42 mJ
  • Eon
    1.5 mJ
  • IC (@ 25°) max
    64 A
  • ICpuls max
    150 A
  • IF max
    80 A
  • IFpuls max
    150 A
  • Irrm
    27 A
  • Ptot max
    164 W
  • QGate
    290 nC
  • Qrr
    1.24 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    7 Ω
  • td(off)
    305 ns
  • td(on)
    28 ns
  • tf
    27 ns
  • tr
    33 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE max
    600 V
  • VF
    1.45 V
  • 封装
    PG-TO247-3
  • 开关频率
    18 kHz to 60 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™
推荐的
OPN
IKFW50N60ETXKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-HSIP247-3
封装名 TO-247-3 advanced isolation
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSIP247-3
封装名 TO-247-3 advanced isolation
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
高速 600 V、50 A 硬开关 TRENCHSTOP ™ IGBT3 分立器件与反并联二极管一起采用 TO-247 高级隔离封装。得益于从芯片到散热器之间有效和可靠的热通路，这种全新绝缘封装，可实现高功率密度、高性能和低冷却效率。

特性

  • 最低 VCEsat 压降
  • 低开关损耗
  • 正温度。系数，单位为 VCEsat
  • 易于并联切换
  • 非常柔软、快速恢复二极管
  • 2500 VRMS电气隔离
  • 100% 测试隔离安装。表面
  • 无铅电镀：符合 RoHS 标准
  • 合格 acc.符合 JEDEC 47/20/22
  • 低 EMI

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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