现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IKFW50N65DH5

采用 TO-247 封装、带反并联二极管的 650 V IGBT
数据手册
封装

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IKFW50N65DH5
IKFW50N65DH5
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.63 mJ
  • Eon
    1.46 mJ
  • IC (@ 25°) max
    59 A
  • IF max
    40 A
  • IFpuls max
    160 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    124 W
  • QGate
    95 nC
  • Qrr
    0.55 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12.2 Ω
  • td(off)
    131 ns
  • td(on)
    23 ns
  • tf
    20 ns
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • VCE max
    650 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.5 V
  • 封装
    PG-HSIP247-3-1
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推荐的
OPN
IKFW50N65DH5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSIP247-3
封装名 TO-247-3 advanced isolation
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSIP247-3
封装名 TO-247-3 advanced isolation
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
高速 650 V、50 A 硬开关 TRENCHSTOP ™ 5 IGBT，带有 RAPID 1 快速和软反并联二极管，采用 TO-247 高级隔离封装。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 4 倍 Ic 脉冲电流 (100°C Tc)
  • 最低开关损耗
  • Vf 的温度稳定性
  • 2500 VRMS 电气隔离，50/60 Hz，t = 1 分钟
  • 100% 经过 iso 测试。安装表面
  • 无铅电镀：符合 RoHS 规定
  • 符合 JEDEC 47/20/22 要求

产品优势

  • 2500 Vrms 电气隔离
  • 100% 测试隔离
  • 简化组装

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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