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无铅

IKP15N65F5

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封装

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IKP15N65F5
IKP15N65F5
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.04 mJ
  • Eon
    0.13 mJ
  • IC (@ 100°) max
    18 A
  • IC (@ 25° ) max
    30 A
  • ICpuls max
    45 A
  • IF max
    20 A
  • IFpuls max
    45 A
  • Irrm
    8 A
  • Ptot max
    105 W
  • QGate
    38 nC
  • Qrr
    190 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    39 Ω
  • td(off)
    150 ns
  • td(on)
    17 ns
  • tf
    16 ns
  • tr
    7 ns
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • 封装
    TO-220-3
  • 开关频率
    60 kHz to 120 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
IKP15N65F5XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
高速 650 V 硬开关 IGBT TRENCHSTOP ™ 5 与 RAPID 1 快速和软反并联二极管一起采用 TO-247 封装，被定义为“同类最佳” IGBT。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 与 HighSpeed 3 系列相比：
  • Qg
  • 开关损耗降低 2 倍
  • VCE(sat)
    • 降低 200 mV
  • 与快速硅二极管共同封装
  • 低 COES/EOSS
  • 温和的正温度。系数
  • Vf
的温度稳定性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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