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IKP39N65ES5
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符合RoHS标准
无铅

IKP39N65ES5

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650 V、39 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-220 封装
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封装
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IKP39N65ES5
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商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.4 mJ
  • Eon
    0.8 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    39 A
  • 最高 IC (@ 25°)
    62 A
  • 最高 ICpuls
    120 A
  • 最高 IF
    40 A
  • 最高 IFpuls
    120 A
  • Irrm
    19 A
  • 最高 Ptot
    188 W
  • QGate
    70 nC
  • Qrr
    850 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12.8 Ω
  • td(off)
    120 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    25 ns
  • tr
    30 ns
  • VCE(sat)
    1.45 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.65 V
  • 封装
    TO-220-3
  • 开关频率 范围
    10 kHz 至 30 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5

OPN
IKP39N65ES5XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
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硬开关 650 V、39 A TRENCHSTOP ™ 5 S5 IGBT 采用小型 TO-220 封装，适用于在 10 kHz 和 40 kHz 之间切换的应用，以实现高电流密度、高效率、更快的上市周期、降低电路设计复杂性并优化 PCB 物料清单成本。

特性

  • 25°C 时 VCEsat 极低，仅为 1.45 V
  • 4 倍 Ic 脉冲电流 (100°C Tc)
  • 软电流下降特性
  • 对称、低电压过冲
  • 栅极电压受控
  • 无意外导通风险
  • 无需栅极钳位
  • 最大 Tvj = 175°C
  • 合格。雅高符合 JEDEC 标准
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