IKW08N120CS7
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

IKW08N120CS7

1200 V、8 A IGBT7 S7,带反并联二极管,采用 TO-247 封装

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IKW08N120CS7
IKW08N120CS7

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.86 mJ
  • Eon
    0.59 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    21 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    14 A
  • 最高 ICpuls
    24 A
  • 最高 IF
    18 A
  • 最高 IFpuls
    24 A
  • Irrm
    13 A
  • 最高 Ptot
    106 W
  • QGate
    52 nC
  • Qrr
    1100 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    20 Ω
  • td(off)
    160 ns
  • td(on)
    16 ns
  • tf
    255 ns
  • tr
    15 ns
  • tSC
    8 µs
  • VCE(sat)
    2 V
  • 最高 VCE
    1200 V
  • VF
    1.6 V
  • VGE(th)
    5.7 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 2 - 20 kHz
  • 开关频率 范围
    2 kHz 至 20 kHz
  • 技术
    TRENCHSTOP™ IGBT7
OPN
IKW08N120CS7XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
硬开关 1200 V、8 A TRENCHSTOP ™ IGBT7 S7 分立器件,采用 TO-247 封装,内置 EC7 二极管。它提供低 VCEsat 以在目标应用中实现非常低的传导损耗,并且共同封装的非常柔软和快速的发射极控制二极管有助于最大限度地减少开关损耗,从而降低整体总损耗。

特性

  • 极低的 VCEsat
  • 良好的可控性
  • 全额定续流二极管
  • 具有改进的柔软度的二极管
  • 耐受恶劣条件
  • 耐受 HV-H3TRB
  • 8 us 短路时间
  • 非常紧密的参数分布
  • 最大工作 Tj 为 175 °C
文档

设计资源

开发者社区

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