在产
符合RoHS标准
无铅

IKW25N120H3

采用 TO-247 封装、带反并联二极管的 1200 V IGBT
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

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IKW25N120H3
IKW25N120H3
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.85 mJ
  • Eon
    1.8 mJ
  • IC (@ 25° ) max
    50 A
  • IC (@ 100°) max
    25 A
  • ICpuls max
    100 A
  • IF max
    25 A
  • IFpuls max
    100 A
  • Irrm
    10.4 A
  • Ptot max
    326 W
  • QGate
    115 nC
  • Qrr
    1200 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    277 ns
  • td(on)
    26 ns
  • tf
    17 ns
  • tr
    35 ns
  • VCE(sat)
    2.05 V
  • VCE max
    1200 V
  • VF
    2.4 V
  • Package
    TO-247-3
  • Switching Frequency
    20 kHz to 100 kHz
  • Technology
    IGBT HighSpeed 3
受到推崇的
OPN
IKW25N120H3FKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
高速 1200 V、25 A 硬开关 TRENCHSTOP ™ IGBT4 与续流二极管一起封装在 TO-247 封装中，在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳折衷。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为，从而实现较低的关断损耗。

特性

  • 用于替换 70 kHz 开关 MOSFET
  • 低开关损耗
  • 出色的 VCEsat 行为
  • 快速开关行为
  • 低 EMI 辐射
  • 优化二极管用于：
  • 改善开关损耗
  • 低栅极电阻选择。可能
  • 出色的开关行为 (@>5 Ω)
  • 短路能力
  • 提供 175°C 的 Tj(max)
  • 包装有免费和无免费两种。二极管

文档

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