在产
符合RoHS标准
无铅

IKW30N60H3

采用 TO-247 封装、带反并联二极管的 600 V IGBT
数据手册
封装
每件.
有存货

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IKW30N60H3
IKW30N60H3
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.44 mJ
  • Eon
    0.94 mJ
  • IC (@ 25° ) max
    60 A
  • IC (@ 100°) max
    30 A
  • ICpuls max
    120 A
  • IF max
    30 A
  • IFpuls max
    120 A
  • Irrm
    12 A
  • Ptot max
    187 W
  • QGate
    165 nC
  • Qrr
    320 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10.5 Ω
  • td(off)
    207 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    22 ns
  • tr
    33 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.95 V
  • VCE max
    600 V
  • VF
    1.65 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    20 kHz to 100 kHz
  • 技术
    IGBT HighSpeed 3
推荐的
OPN
IKW30N60H3FKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
高速 600 V、30 A 硬开关 TRENCHSTOP ™ IGBT3 与续流二极管一起封装在 TO-247 封装中，在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳折衷。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为，从而实现较低的关断损耗。

特性

  • 低开关损耗
  • 出色的 Vce(sat) 特性
  • 快速开关特性
  • 低 EMI 辐射
  • 针对目标应用优化的二极管。
  • 低栅极电阻选择。
  • 出色的开关行为
  • 短路能力 5µs
  • 提供 175°C 的 Tj(max)
  • 包装有免费和无免费两种。二极管

产品优势

  • 低开关和传导损耗
  • 极佳的 EMI 行为
  • 一流的 600 V IGBT 效率
  • 高电流密度

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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