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符合RoHS标准
无铅

IKW30N65EL5

数据手册
封装
每件.
有存货

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IKW30N65EL5
IKW30N65EL5
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    1.35 mJ
  • Eon
    0.47 mJ
  • IC (@ 100°) max
    62 A
  • IC (@ 25° ) max
    85 A
  • ICpuls max
    120 A
  • IF max
    50 A
  • IFpuls max
    120 A
  • Irrm
    21 A
  • Ptot max
    227 W
  • QGate
    168 nC
  • Qrr
    910 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    308 ns
  • td(on)
    33 ns
  • tf
    51 ns
  • tr
    11 ns
  • VCE(sat)
    1.05 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • Package
    TO-247-3
  • Switching Frequency
    0.05 kHz to 20 kHz
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
受到推崇的
OPN
IKW30N65EL5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的新型 L5 低饱和电压 (V CE(sat)) TRENCHSTOP ™ IGBT 系列针对 50Hz 至 20kHz 范围内的低开关频率进行了专门优化。通过优化创新的 55µm TRENCHSTOP ™ 5 薄晶圆技术的载体轮廓，可以将传导损耗降低到本质低水平 – 30A IGBT 为 1.05V，75A IGBT 为 1.10V。

特性

  • 最低 VCE(sat) 仅为 1.05 V
  • 低开关损耗：
  • 30 A IGBT 在 25°C 时为 1.6 mJ
  • 高热稳定性
  • Tj 从 25°C 升高至 175°C

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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