在产
符合RoHS标准
无铅

IKW40N120CS6

1200 V、40 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247 封装
数据手册
封装

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IKW40N120CS6
IKW40N120CS6
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    1.55 mJ
  • Eon
    2.55 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    40 A
  • 最高 IC (@ 25°)
    80 A
  • 最高 ICpuls
    160 A
  • 最高 IF
    80 A
  • 最高 IFpuls
    160 A
  • Irrm
    18 A
  • 最高 Ptot
    500 W
  • QGate
    285 nC
  • Qrr
    2.65 µC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    9 Ω
  • td(off)
    315 ns
  • td(on)
    27 ns
  • tf
    27 ns
  • tr
    39 ns
  • tSC
    3 µs
  • VCE(sat)
    1.85 V
  • 最高 VCE
    1200 V
  • VF
    2.2 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率 范围
    10 kHz 至 50 kHz
  • 技术
    TRENCHSTOP™ IGBT6
推荐的
OPN
IKW40N120CS6XKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO-247 封装的硬开关 1200 V、40 A 高速 TRENCHSTOP ™ IGBT6 与软快速恢复全电流反并联二极管共同封装，旨在达到开关损耗和传导损耗之间的最佳平衡。

特性

  • 高效硬开关
  • 高效谐振拓扑
  • 易于并联
  • 正温度。系数，单位为 VCEsat
  • 低 EMI
  • 低栅极电荷 QG
  • 非常柔软、快速恢复二极管
  • 高耐用性
  • 温度稳定性
  • 非常紧密的参数分布
  • 低饱和电压*
  • *如果 1.85 V 且低开关损耗

文档

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