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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IKWH20N65WR6

停产
650 V、20 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247-3-HCC 封装
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封装
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IKWH20N65WR6
IKWH20N65WR6
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.2 mJ
  • Eon
    0.5 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    40 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    20 A
  • 最高 ICpuls
    60 A
  • 最高 IF
    17 A
  • 最高 IFpuls
    30 A
  • Irrm
    23 A
  • Ptot (@ TA=25°C)
    70 W
  • 最高 Ptot
    70 W
  • QGate
    89 nC
  • Qrr
    1700 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    24 Ω
  • td(off)
    255 ns
  • td(on)
    25 ns
  • tf
    17 ns
  • tr
    13 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.3 V
  • VGE(th)
    4 V
  • 封装
    TO-247-3-HCC
  • 开关频率 范围
    20 kHz 至 75 kHz
  • 技术
    TRENCHSTOP™ 5 WR6
OPN
IKWH20N65WR6XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 N/A
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 -
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
高速 650 V、20 A 反向传导 TRENCHSTOP ™ 5 WR6 IGBT，采用高爬电距离和电气间隙 TO247-3-HCC 封装。它专门针对 RAC/CAC 和焊接逆变器应用的 PFC 进行了优化。WR6 提供最低的 VCEsat 和 Esw ，允许开关频率高达 75 kHz。WR6 IGBT 还通过增加电气间隙和爬电距离实现了更可靠的设计。

特性

  • 最低 VCEsat1.4 V @ 25°C
  • 单片集成二极管
  • 最低 Esw
  • 高爬电距离和电气间隙封装

产品优势

  • 提高性价比
  • 优化二极管
  • 最低开关损耗
  • 可靠防污染

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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