现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IKWH30N65WR6

650 V、30 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247-3-HCC 封装
数据手册
封装
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每件.
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IKWH30N65WR6
IKWH30N65WR6
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商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.38 mJ
  • Eon
    0.82 mJ
  • IC (@ 25°) max
    60 A
  • IC (@ 100°) max
    30 A
  • ICpuls max
    90 A
  • IF max
    20 A
  • IFpuls max
    30 A
  • Irrm
    24 A
  • Ptot max
    83 W
  • QGate
    111 nC
  • Qrr
    2200 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    27 Ω
  • td(off)
    334 ns
  • td(on)
    35 ns
  • tf
    16 ns
  • tr
    18 ns
  • VCE(sat)
    1.45 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.3 V
  • VGE(th)
    4 V
  • Package
    TO-247-3-HCC
  • Switching Frequency
    20 kHz to 75 kHz
  • Technology
    TRENCHSTOP™ 5 WR6
受到推崇的
OPN
IKWH30N65WR6XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 N/A
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 -
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
高速 650 V、30 A 反向传导 TRENCHSTOP ™ 5 WR6 IGBT，采用高爬电距离和电气间隙 TO247-3-HCC 封装。它专门针对 RAC/CAC 和焊接逆变器应用的 PFC 进行了优化。WR6 提供最低的 VCEsat 和 Esw ，允许开关频率高达 75 kHz。WR6 IGBT 还通过增加电气间隙和爬电距离实现了更可靠的设计。

特性

  • 最低 VCEsat1.4 V @ 25°C
  • 单片集成二极管
  • 最低 Esw
  • 高爬电距离和电气间隙封装

产品优势

  • 提高性价比
  • 优化二极管
  • 最低开关损耗
  • 可靠防污染

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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