IMBG120R078M2H
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMBG120R078M2H

CoolSiC ™ MOSFET 1200 V G2，采用 TO-263-7 封装
数据手册
封装

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IMBG120R078M2H
IMBG120R078M2H
数据手册
  • Ciss
    700 pF
  • Coss
    28 pF
  • ID (@ TC=25°C)
    29 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    158 W
  • Qgd
    5.3 nC
  • QG
    20.6 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    78.1 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.95 K/W
  • 最高 Tj
    200 °C
  • 最高 VDS
    1200 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TO-263-7
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    7 Pins
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IMBG120R078M2HXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CoolSiC ™ MOSFET 1200 V、78 mΩ G2 采用 D2PAK-7L（TO-263-7）封装，以第一代技术的优势为基础，能够加速系统设计，从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进，适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。

特性

  • VGS = 18 V、Tvj = 25°C 时，RDS(on) = 78.1 mΩ
  • 极低的开关损耗
  • 过载工作温度高达 Tvj = 200°C
  • 短路耐受时间 2 µs
  • 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.2 V
  • 具有抗寄生导通能力，可施加 0 V 关断栅极电压
  • 坚固的体二极管，适用于硬换向
  • .XT 互连技术，实现一流的热性能

产品优势

  • 更高的能源效率
  • 冷却优化
  • 更高的功率密度
  • 新的稳健性特性
  • 高度可靠
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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